光纖到硅基耦合是硅光芯片設計十分重要一環(huán)，耦合質量決定著集成硅光芯片上光信號和外部信號互聯(lián)質量。準確測量耦合位置質量及硅光芯片內部鏈路情況，對硅光芯片設計和生產(chǎn)都變得十分有意義。光纖微裂紋診斷儀（OLI）對硅光芯片耦合質量和內部裂紋損傷檢測非常有優(yōu)勢，以亞毫米級別的空間分辨率精準探測到光鏈路中每個事件節(jié)點，具有靈敏度高、定位精準、穩(wěn)定性高、簡單易用等特點，是硅光芯片檢測的不二選擇。
通過耦合處回損值（反射峰高度）來判斷耦合質量好壞，OLI檢測峰值和測試樣品耦合位置一一對應，肉眼不可見的微裂紋能清晰檢測出來。
使用OLI測試能快速評估出硅光芯片耦合質量，并精準定位硅光芯片內部裂紋位置及回損信息。OLI以亞毫米級別分辨率探測硅光芯片內部，可廣泛用于光器件、光模塊損傷檢測以及產(chǎn)品批量出貨合格判定。
